FETs - clasa speciala de tranzistori care pot fi folosite ca switch-uri, regulatoare de curent sau amplificatoare. Un efect de câmp tranzistor diferă de tranzistor convențional, în care se deplasează curent fără trecere P-N joncțiune. Magnitudinea curentului poate fi controlată prin ajustarea potențialului poarta furnizat prin această tranziție. Există două tipuri principale de tranzistori cu efect de câmp: FETs cu o poarta pe baza tranziției și tranzistori cu efect de câmp cu poartă izolată.
Efect de câmp tranzistor cu o poarta pe baza tranziției
Un tranzistor cu efect de câmp cu o poartă pe baza tranziției constă din regiunea canalului (canal) și poarta. Atunci când funcționează, curentul curge prin canalul de la terminal la terminalul sursă de scurgere.
Canalul este realizat din material de tip n și poarta - a materialului de tip p. Efect de câmp tranzistori cu o poarta pe baza tranzițiilor de acest gen sunt numite FETs cu o poarta pe baza tranziției de canal de tip n. În schema bloc prezentată în figura de mai jos materialul de tip p atașat pe ambele părți ale canalului. Cu toate acestea, în multe tranzistori cu tip canal n materialul de tip p este înfășurat în jurul unui canal de inel continuu, formând astfel o singură neîntreruptă p-n joncțiune,. Principiile de funcționare a acestui dispozitiv este în esență același, în ciuda tehnicilor utilizate în construcția sa.
Circuit FET cu o poarta pe baza tranziției
Potențialul poarta determină conductivitatea căii de la sursa la scurgere de tranzistor spus. Potențialul poarta de efect de câmp tranzistor cu o poarta pe baza tranziției, are întotdeauna o prejudecată inversă, pentru a reduce la minimum curentul care curge prin joncțiunea. Când tranziția este părtinitoare inversă, curentul care trece prin canalul poate fi controlat prin modificarea dimensiunii zonei de golire. Valorile mari de polarizare inversă sursă potențială de extindere a zonei de golire, care limitează curentul care curge prin canalul. Pe de altă parte, prin reducerea potențialului de polarizare inversă, și, prin urmare, reducerea dimensiunii unei zone de luat masa, creează oportunitatea pentru o mai mare fluxul de curent de la sursa la scurgere. Starea de părtinire inversă asigură că nu trece curent prin propriul dvs. p-n joncțiune.
gate Insulated cu efect de câmp tranzistor
Cu efect de câmp tranzistori cu poarta izolate cu efect de câmp tranzistori sunt diferite de la o poarta pe baza tranziției, ca urmare a proiectării lor, precum și pe principiul muncii. De obicei, în domeniul tranzistorului cu efect cu poarta izolată, așa cum este evident din numele lor, poarta este izolată de corpul principal al tranzistorului cu un strat subțire de oxid de metal sau alt material izolant. Tranzistorii de acest tip, care este folosit ca un oxid metalic izolant, numit adesea FETs cu semiconductor oxid de metal.
poarta de izolare în aceste tranzistori pe porțiunea lor de bază oferă avantajul dublu-au comparat cu FETs cu o poarta pe baza tranziției. Unul dintre aceste avantaje este faptul că această izolație împiedică poarta curentului, indiferent de polaritatea potențialului aplicat la poarta. Aceasta, la rândul său, creează un al doilea avantaj, care este că aceste tranzistori poate funcționa în mod continuu, indiferent dacă alimentat la poarta unui potențial pozitiv sau negativ.
Schema FET poarta izolată
Unijunction tranzistor tranzistor special care generează valuri recurente
Testeri măsoară câștigul de curent tranzistor și curent de scurgere
Dispozitiv stabilizatoare de tensiune care asigură un nivel stabil de tensiune
un adept de tensiune are o impedanță de intrare mare, impedanță de ieșire scăzută și câștigul egal cu unitatea
tensiune de circuit de multiplicare capabil de a oferi tensiune, de multe ori mai mare decât cea care rezultă