Printre multitudinea de dispozitive semiconductoare care urmează să fie remarcat FET, principiul de funcționare se bazează pe baza purtătorilor de sarcină în mișcare de același tip. Fluxul de încărcare este reglementată de un câmp electric transversal. Câmpul sursă este tensiunea aplicată la oricare dintre electrozii tranzistorului. Un astfel de electrod primit obturator suplimentar titlu.
Având în vedere că același tip de mișcare taxe, electroni sau gauri sunt numite FETs unipolare, spre deosebire de dispozitive bipolare. Ele pot avea un control al joncțiunii pn sau poarta izolate. Parametrii de bază ai unui dispozitiv de intrare și interior (ieșire) impedanță, iar tensiunea cut-off și alte caracteristici.
tranzistoare cu efect de câmp cu joncțiune de control pn
Acest dispozitiv constă dintr-o placheta semiconductoare, care sunt instalate la capetele electrozilor sursă și de scurgere. Este cu participarea lor sunt conectarea dispozitivului la o rețea de gestionat. Un compus al rețelei de control se realizează cu al treilea electrod care acționează ca o poartă. Deoarece placa electrod treia și diferite tipuri de conductivitate, apoi din cauza aceasta și formează o joncțiune pn.
Cu sursa de alimentare în circuitul de intrare, în p-n tensiunea joncțiune inversă este generată. În plus față de circuitul de intrare al conexiunii este sursa oscilațiilor amplificate. Atunci când se schimbă tensiunea de intrare, schimbarea se produce și tensiunea inversă în vecinătatea joncțiunii pn. Ca urmare, o modificare a p-canal a unui strat de epuizare. Asta este, de fapt, se schimbă o secțiune transversală prin care purtătorii majoritari.
În funcție de funcțiile lor, electrozii dispozitivului au următoarele denumiri:
- Sursa electrod: Apariția lor are loc în canalul principal al purtătorilor de sarcină.
- Electrod Stoc: de la canalul prin acesta iese principalele purtătorilor de sarcină.
- Electrod Gate: reglează o secțiune transversală a canalului.
Canalul în sine poate avea una dintre cele două Conductanțele. Conductibilitatea tranzistori cu efect de câmp este un „p“ sau canal „n“. tensiune de polarizare, care sunt furnizate acești electrozi sunt de polaritate opusă.
Astfel, principiul de funcționare al FET este foarte similar cu activitatea trioda cu vid. Tranzistorul are un catod, un anod și o grilă care corespunde sursei, scurgere și poarta. Cu toate acestea, structura dispozitivului de semiconductoare este diferit pentru o mai bună și are un număr mare de funcții.
gate Insulated cu efect de câmp tranzistor
Această construcție a dispozitivului este caracterizată ca având un strat izolator care separă poarta și canal. Substratul este un cristal semiconductor cu rezistivitate ridicată. Se creează un domeniu cu o conductivitate opusă a substratului. În aceste locuri se aplică electrozii sursă și de scurgere. Intre acestea, la suprafața cristalului acoperită cu un strat subțire de material dielectric. La rândul său, acest strat de acoperire este realizat din electrod metalic treilea - obturatorul.
Structura dispozitivului include un metal, dielectric și semiconductor (MIS). Prin urmare, aceste dispozitive sunt numite tranzistori MIS.
Dispozitivele MOS au următoarea clasificare:
- Cu canal indus. Cu această structură, nu există nici un canal conducător între scurgere și sursă. Prin urmare, apariția curentului depinde de polaritatea drena și tensiunea de prag poarta, în conformitate cu sursa.
- Cu canale built-in. În acest dispozitiv, o valoare zero a tensiunii este formată sub poarta stratului de inversiune într-un canal de legătură scurgere și sursa.
Astfel, tranzistori cu efect de câmp au un principiu comun de funcționare, dar diferite caracteristici de design, care să permită utilizarea lor în diverse domenii.