Acceptor impuritate - impuritate care atomii sunt acceptori. [1]
Acceptoare electroni impuritățile de captare și funcționează invers, facilitând conectarea la district. [2]
impurități acceptoare - este un compus trivalent (m-diy - In aluminiu - AI), asigurând creșterea conducției găuri. În formarea de legături cu atomii semiconductoare este un martor, ceea ce duce la o cantitate excesivă de găuri. [3]
Impuritatea acceptoare în semiconductor crea niveluri libere suplimentare de energie la care electronii pot trece din banda umplută pentru a forma pe care; găuri. [4]
Impuritatea acceptoare în semiconductor crea niveluri libere suplimentare de energie la care electronii pot trece din banda umplută pentru a forma o gaură în ea. [5]
Impuritatea acceptoare în semiconductor determină predominarea conductivității găurii și impurități donoare - predominanță conductibilitate electronică, în care aditivul menționat este impurități nesemnificative crește conductivitatea electrică a semiconductorului în zeci de mii de ori. Ca impuritate acceptor (aditiv) utilizate substanțe în care numărul de atomi pe unitatea de electroni de valență este mai mică decât cea a semiconductorului și ca donator - o substanță, numărul de electroni de valență care este unul mai mare decât cea a semiconductorului pur. De exemplu, aluminiul este utilizat ca acceptor aditiv la siliciu, astfel încât atomul de siliciu are patru electroni de valență și atomul de aluminiu - trei. [6]
impurități acceptoare. Luând electroni de valență la niveluri acceptoare, duce la apariția de găuri în conductivitatea semiconductor. [7]
impurități acceptoare din siliciu sunt, de obicei din aluminiu, bor și galiu - Grupul III elemente ale sistemului periodic, atomii din care au trei electroni de valență. Fiecare atom de impuritate îi lipsește un electron pentru a forma o legătură covalentă cu patru atomi vecine din materiale semiconductoare. Acest electron este capturat de către unul dintre atomii, în care se formează o gaură. Această gaură se numește un semiconductor impuritate sau un semiconductor de tip p. Purtătorilor de sarcină primare sunt găuri în ea ca impuritate, si proprie minoritate - electronii care umplu aceste găuri. [8]
impurități acceptoare. utilizate pe scară largă în fabricarea structurilor de difuzie în siliciu și alte tehnologii de materiale semiconductoare, sunt bor și galiu. În unele cazuri, utilizarea de aluminiu. [9]
impurități acceptoare din siliciu sunt, de obicei din aluminiu, bor și galiu - Grupul III elemente ale sistemului periodic, atomii din care au trei electroni de valență. Fiecare atom de impuritate îi lipsește un electron pentru a forma o legătură covalentă cu patru atomi vecine din materiale semiconductoare. Acest electron este capturat de către unul dintre atomii, în care se formează o gaură. Un astfel de semiconductor se numește un semiconductor impuritate sau o gaură P - tip. Purtătorilor de sarcină primare sunt găuri în ea ca impuritate, si proprie minoritate - electronii care umplu aceste găuri. [10]
Impuritățile principale acceptori în siliciu sunt bor, aluminiu, germaniu - galiu și indiu. Deoarece aceste impurități sunt elemente din grupa III atomi de lipsă de captare de electroni al patrulea din atomii de semiconductoare, care se sprijină această parte a taxei zabrele pozitivă. Format a grilajului gaura pozitiva atrage electroni din atomii vecine, iar gaura pozitivă se mută la o nouă locație. conducție gaura sau pozitiv - prin urmare. [11]
Acest acceptor impuritate. care reduc electronul, dar crește de tip p semiconductor. [12]
Nivelul de impurități acceptoare în filme (indiferent de sursă) depășește solubilitatea cea mai mare parte a donatorilor impurității-TION. [13]
Concentrația de impuritate acceptor în baza de date este scăzută, iar concentrația impurității donor în emițător și colector este mare. [14]
Valența impurități acceptoare. introducere, care creează tip p conductivitate trebuie să fie mai mică decât valența materialul semiconductor. [15]
Pagini: 1 2 3 4