În producție, metoda cea mai frecvent utilizată este formarea de fațete cu un cerc de diamant profilat. Schema de prelucrare a plăcii 1 cu un cerc de diamant 2 este prezentată în figura 10. Această metodă poate fi utilizată pentru a produce fâșii de diferite forme (fig.11, a-c). În practică, cel mai adesea se formează zăbrele, a căror formă este prezentată în Fig. 11, a. În timpul procesării, placa este fixată pe masa de aspirație a mașinii și se rotește în jurul axei sale. Viteza de rotație a plăcii este de 10-20 rpm, roata diamantată este de 4000-10000 rpm. Cercul de diamant este presat pe placă cu o forță de 0,4-0,7 N. Axa de rotație a cercului se deplasează în raport cu axa de rotație a mesei de aspirație astfel încât tratamentul
Fig. 10. Circuitul din Fig. 11
formarea șanfului Pro chamfer:
diamant: a - cu muchii rotunjite;
Placă 1 semiconductoare b - periferia rotunjită
2 - cerc de diamante. c - cu muchii teșite.
compușii de nichel sunt măcinați la o presiune de 1,5-2,5 ori mai mică decât siliciul. În timpul măcinării, plăcile sunt supuse periodic inspecției vizuale și controlului grosimii.
Împreună cu măcinarea pe ambele părți, o distribuție largă a fost obținută prin măcinarea unilaterală a plăcilor, schema fiind prezentată în Fig. 12. Sunt așezate plăcile 2. în separatorul 3 și apăsați sarcina 4 pe roata de șlefuire 1.
Fig. 12 Schema unilaterală
șlefuirea cu un material abraziv lipit:
1 - polizor, 2-placă, 3-separator,
O tulbureală abrazivă este alimentată cu praful. Procesarea, are loc în același mod ca și în cazul măcinării bilaterale. În acest fel, este posibilă șlefuirea plăcilor de diferite grosimi. Cu toate acestea, incluziunea străină (abrazivă, particule de material semiconductor, șlefuit metalic etc.) poate cădea între placă și încărcătură, ceea ce agravează precizia tratamentului. Prin urmare - mai des, plăcile cu măcinare unilaterală se atașează la capul de rectificat.
La șlefuire se folosesc trei metode de fixare a plăcilor: lipire, contact optic și fixare în vid. Principalele cerințe pentru fixarea plăcilor sunt paralelismul strict al suprafeței de bază a plăcilor de pe suprafața capului de rectificare, precum și fiabilitatea fixării.
7. Șlefuirea plăcilor cu un material abraziv liber și legat
Scopul principal al lustruirea plachetelor semiconductoare este de a corecta erorile în forma lor geometrică, după tăiere ciuda Nate că adâncimea stratului deteriorat după lustruire este aproximativ aceeași ca și după tăiere, aceasta ar trebui să indice o mai mare uniformitate a adâncimii de încălcări să fie făcute prin polizare.
Fig. 13. Schema de măcinare față-verso
1 - sistem de răcire, 2,7 - mașini de măcinat,
3,6 - angrenaje interioare și exterioare,
4 - separatoare. 5 - plăci
Prin natura impactului abraziv asupra plachetelor semiconductoare, măcinarea se distinge printr-un material abraziv liber și legat. În funcție de granularitatea abrazivului utilizat, de modurile de prelucrare și de calitatea suprafeței obținute, se disting între măcinarea preliminară (durată) și finală (finală).
Măcinarea liber abraziv are o serie de avantaje care au cauzat utilizării industriale pe scară largă în fabricarea plachetelor de semiconductori Obrabotanike plăci au urme vizibile pe suprafața mișcării directionale abrazive, partea lor difera de luciu mat omogen. Posibilitatea de auto-aliniere a mașinilor de șlefuit și a plăcilor prelucrate asigură o îmbunătățire a geometriei plăcilor și a polizorului. Atunci când stivuirea plăcilor liber (fără nici un element de rigidizare) de stres în plăci și impact redus al vibrațiilor mașinii de fabricare a erorilor de prelucrare de precizie.
Schema de plăci de șlefuire bilaterale abrazive-TION liber prezentat în Fig. 13.Plastiny 5 este plasat în separatoarele 4 realizate sub formă de plăci cu o dantură exterioară. Dinții separatoarele angrena angrenajele dințate 3 și 6. Roata dințată interioară 3 are o dantură exterioară și angrenajul extern 6 intern. Gears 3 și 6 sunt rotite uneltele și separatorul rotativ. În același timp, separatorii sunt deplasate în jurul axei sculei măcinare 2, 7. Centrele găurilor din separatoarele nu coincid cu centrele separatoarelor de sine, astfel încât placa lor de rotație comite mișcare suplimentară în jurul centrelor de separatoare, promovând prelucrarea plachetelor mai uniformă și uzură uniformă a sculei de măcinare. instrument de măcinare inferioară 7, montată fix pe cadrul mașinii, scula de rectificat 2 și superior montat liber pe napolitane prelucrate.
Presiunea de lucru pe plăci este creată de dispozitive hidraulice și transmisă de roata de rectificare superioară. Presiunea de lucru este reglabilă infinit, ceea ce face posibilă realizarea
Fig. 14. Forma de uzură a discului de măcinare sub formă de concavitate (a) sau convexitate (b) și efectul său asupra formării plăcilor
trecerea continuă de la șlefuirea la finisare. Viteza angrenajelor este de asemenea reglabilă infinit, excluzând șocurile și șocurile la pornirea și oprirea mașinii, ceea ce este important atunci când se procesează semiconductorii. Mașinile de frezat sunt echipate cu sisteme de răcire și de control al temperaturii care susțin condiții de procesare stabile. Temperatura constantă în zona de măcinare elimină deformările termice nedorite ale mașinilor de șlefuit, care pot reduce precizia tratamentului și mențin aceeași vâscozitate a suspensiei abrazive în timp, ceea ce este important pentru menținerea unei viteze constante de procesare.
§ 8. Metode de reglare fină a plachetelor semiconductoare prin lustruire
Lustruirea plachetelor semiconductoare este efectuată pentru a îndepărta straturile de structură defecte de suprafață formate în timpul tăierii și măcinării. În cazul în care lustruiți gadfly? și după gravarea chimică, corectează defectele în forma geometrică a plăcilor, care rezultă din gravarea inegală. Prin natura îndepărtării materialelor, se disting polizarea mecanică, chimică și chimică-mecanică. ;
Polizarea mecanică se realizează prin tăierea particulelor microscopice ca urmare a acțiunii granulelor abrazive pe suprafața tratată. Ca abraziv, se folosesc pulberi de diamante sintetice și naturale, oxizi de crom, oxizi de ceriu și alții.
Hornul este străpuns prin scufundarea plăcilor într-o substanță etanșă de lustruit. Pentru a asigura o mai mare uniformitate a îndepărtării materialului din întreaga suprafață a casetei vafele cu plăcile sunt rotite, făcându-i alimentat continuu etchant proaspăt (Fig. 15). Etchantii utilizați pentru a lustrui plăcile sunt diverse în compoziție. Plăcile de siliciu sunt în principal gravate în amestecuri de acizi azotați, hidrofluorici și acetic, utilizând diferite proporții de componente. În aceste amestecuri pot fi adăugate substanțe care stabilizează viteza de gravare sau catalizarea reacțiilor sale. Compușii A3B5 adesea gravat în soluții apoase de peroxid de hidrogen și un acid, cum ar fi acidul sulfuric, fluorhidric, bromhidric, și alții. Pe lângă aceasta, lustruirea chimică poate fi efectuată într-un mediu gazos.