Procedura de verificare a IGBT și MOSFET este după cum urmează.
Pasul 1. Asigurați-vă că nu există pantaloni scurți între poarta și emițătorul IGBT (poarta și sursa MOSFET) apelând rezistența dintre bornele corespunzătoare în ambele direcții.
Pasul 2. Asigurați-vă că nu există pantaloni scurți între colector și emițătorul IGBT (sursa și scurgerea MOSFET-ului) apelând rezistența dintre bornele corespunzătoare în ambele direcții. Înainte de aceasta, este necesar să se scurteze terminalele porții și emițătorul tranzistorului. Dar va fi mai bine să nu scurtcircuitați poarta și emițătorul tranzistorului, ci pur și simplu încărcați capacitatea de intrare a emițătorului de poartă cu tensiune negativă. Pentru a face acest lucru, atingeți scurt și simultan sonda "COM" a multimetrului la poarta și sonda "V / Ω / f" la emițător.
Unele tranzistoare IGBT, cum ar fi MOSFET, au o diodă contra-paralelă încorporată conectată de catod la colectorul tranzistorului și un anod la emițător (vezi figura). Dacă tranzistorul are o astfel de diodă, atunci acesta din urmă ar trebui să sune în mod corespunzător între emițător și colectorul tranzistorului.
Valoarea tensiunii mai mici corespunde tranzistorilor de joasă tensiune și tensiunii mai mari.
Mărimea căderii de tensiune ar trebui să fie stabilă pentru cel puțin câteva secunde, ceea ce indică faptul că nu există o scurgere a capacității de intrare a tranzistorului.
Uneori, tensiunea multimetrului poate să nu fie suficientă pentru a deschide complet tranzistorul IGBT (tipic pentru IGBT de înaltă tensiune). În acest caz, capacitatea de intrare a tranzistorului poate fi încărcată de la o sursă de tensiune constantă de 9-15 V. Este mai bine să se încarce cu ajutorul unui rezistor de 1-2 kΩ.
Înregistrări similare:
Navigare după înregistrări