Lungimea difuziei
Lungimea de difuzie este determinată de coeficientul de difuzie și durata de viață a purtătorilor de sarcină minoritari; depinde de nivelul de dopaj al semiconductorului și de diferite materiale semiconductoare este în intervalul de la 10 - 5 cm până la câteva milimetri. [1]
Lungimea de difuzie este distanța în care, într-un semiconductor omogen, în cazul difuziei unidimensionale în absența câmpurilor electrice și magnetice, concentrația în exces a purtătorilor de sarcină minoritară scade datorită recombinării cu un factor de e. [2]
Lungimea de difuzie pentru neutronii termici poate fi determinată prin două metode echivalente. Mai întâi, să presupunem că neutronii termici sunt emise de o sursă punctuală și difuzează într-un inhibitor de dimensiuni infinite. Dacă r este distanța de la sursa pe care este absorbit neutronul. [3]
Durata difuziei nu trebuie să fie mai mică de 0,3 mm. Prin urmare, conductivitatea regiunii dintre emițător și contactele de bază considerate aproape una de alta va fi modulată de curentul injectat. [4]
Lungimea de difuzie determină distanța de la limita de bază la care concentrația de purtători de neechilibru într-un timp redus, comparativ cu valoarea sa de limitare. Minority lungime purtătoare de difuzie este un important parametrii electrofizici de semiconductor. Se mărește cu creșterea duratei de viață și cu coeficientul de difuzie. [5]
Lungimea de difuzie L este chiar mai sensibilă la distorsiunile zăcământului de cristal decât la mobilitate. [6]
Lungimea de difuzie a purtătoarelor actuale este o valoare medie a cărei valoare numerică este determinată de lungimile de difuzie ale tuturor electronilor de conducere. Valoarea lungimii difuziei joacă un rol important în rezolvarea mai multor probleme practice ale electronicii semiconductoare. [7]
Lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari în toate domeniile structurii trebuie să fie cât mai mare posibil: în emițător - pentru a crește coeficientul de injecție în baza de date - pentru creșterea sporului coeficientului toku2 și colector (tranzistori y, cu un corp de mare koomnym colector) - pentru modularea colectorului de conductivitate pentru a reduce rezistența la saturație. Excepțiile sunt tranzistori proiectate pentru a funcționa în circuite de comutație de mare viteză, în cazul în care LK și magnitudinea L6 trebuie să fie redusă pentru reducerea acumulării de încărcare în regiunile de bază și colector. [8]
Lungimea de difuzie L este distanța la care concentrația purtătorilor de sarcină de echilibru scade cu un factor de e. [9]
Dacă lungimea de difuzie a semiconductorului este comparabilă cu grosimea plăcii, atunci rezistența reală va fi oarecum mai mică ca urmare a unei scăderi a p datorate injectării purtătorilor actuali. [11]
Metoda de măsurare a lungimii de difuzie a luminii deplasarea sondei permite determinarea vitezei lungimii de difuzie și de recombinare de suprafață din măsurătorile fotocurentul în cele două puncte ale eșantionului. [12]
Semnificația lungimii de difuzie este clară din cea precedentă: aceasta este distanța peste care concentrația transportatorilor în exces scade cu un factor de e. Sau altceva - aceasta este distanța medie pe care suportul difuzează în timpul vieții. [13]
Măsurătorile lungimii și duratei de difuzie a purtătoarelor de încărcătură, pe baza luminiscenței, se datorează dezvoltării acestora prin utilizarea compușilor semiconductori în diode și lasere cu emisie luminată. [14]
Conceptul de lungime a difuziei joacă un rol important în teoria fenomenelor fotoelectrice și de contact. [15]
Pagini: 1 2 3 4