- dispozitiv fotoelectric, într-un rom, ca urmare a absorbției de energie care se încadrează pe ea opt. radiație generată forță electromotoare (emf) sau electric. curent (fotocurent).
acțiunea F. la- bazată pe emisia fotoelectronilor (. PhotoEffect extern), este un tub cu vid, cu doi electrozi - fotocatodul și anod (colector de electroni), plasat într-un vid sau cilindru de sticlă Rowan umplut cu gaz. Fo-tokatodom F. servește fotochuvstvit. strat, să-ing este aplicat fie direct pe site-ul stekloobolochki sau un bloc de metal. strat (substrat) precipitat în prealabil pe sticlă sau pe suprafața blocului metalic. placă. montat în cilindru; anodul are forma blocului metalic. inel sau grilă (Fig. 1). Fluxul incident luminos pe fotocatod. cauza emisiei fotoelectroni de pe suprafața catodului; prin închiderea circuitului F. curge raportul fotocurentului. Flux luminos (Fig. 2a). Pentru a îmbunătăți rezoluția temporală și creșterea fotocurentului catod vârf de impulsuri și anod F. în general coplanare cu un decalaj de 0,3-3 mm, iar constatările făcute sub forma coaxial sau stripline, coordonate de impedanța caracteristică a sarcinii. Gazul rezultat umplută cu ionizare a gazului F. și nesamostoyat apariție. avalanșă amplificat descărcare fotocurentul (Napp. factor. câștig la umplerea Ar este 6-8).
Fig. 1. Structura tipică vidului fotocelule A - borne anod; Prin - concluzii fotocatod; OK inelul de protecție deduce din metal (setat pentru a evita contactul cu curenții de scurgere de sarcină).
Fig. 2. Circuitul fotocelulei cu exterior (a) și (b) efectul fotoelectric intern: K - fotocatodul; A - un anod; F - flux luminos; p și n - regiunea semiconductor cu conductivități iaktseptornoy donor; Sursa postoyannogotoka E- care servește pentru a crea un spațiu între K și câmp Aelektricheskogo accelerare fotoelectronilor; RH -load. Linia punctată indică p - n intersecție.
Naib. diseminare F. cu ext. efectul fotoelectric vid obținut F. (WF) cu antimoniu-cesiu, multi- fotocatodic alcaline și oxigen-argint-cesiu. F. Utilizarea gazului limitată din cauza lipsei de stabilitate a dispozitivelor și a caracteristicilor neliniarității luminii - a fotocurentului asupra fluxului luminii incidente.
F. Acțiunea bazată pe la- ext. PhotoEffect, este un dispozitiv semiconductor cu o joncțiune redresor semiconductor (p - n joncțiune) (. vezi Contact Phenomena in semiconductori) sau izotip heterojoncțiune contactul metal semiconductor. În absorbția Opt. radiație astfel AF (fig. 2, b) creșterea numărului de purtători de sarcină liberi în semiconductoare, la- electrice separate spațial. joncțiune câmp (contact). purtătorilor de sarcină în exces care apar pe ambele părți ale potenței. Bariera creează un semiconductor F. (PD), diferența de potențial t. e. photovoltage. Odată cu închiderea externă. circuitul PF începe să curgă prin sarcină electrică. curent. Deoarece materialul Naib PD. adesea folosit Se, GaAs, CdS, Ge și Si.
F. optic servesc de obicei ca receptori. .. radiație, receptoare incl de lumină vizibilă (în acest caz, PD adesea echivalat cu fotodiode); PF este, de asemenea, utilizat pentru conversia directă a radiației solare în energie electrică. energie - celule solare, foto-electrice. generatoare.
F. utilizate pe scară largă în automatizare și control de la distanță, contorizare măsură. tehnica, metrologie, atunci când Opt. Astrofizica. Studii în dispozitive de film și fotografii, fax, și așa mai departe, etc..; promițătoare de a utiliza PF în sistemul energetic cosmică. vehicule, marin și navigației fluviale. echipamente, dispozitive, etc. stație de alimentare.
Lit:. Pasynkov V. V. Chirkin LK Shinko AD Semiconductori, 4a ed. M. 1987; Berkovskiy AG Gavanin VA Zaydel I. N. vid Aparate fotoelectronice. 2nd ed. M. 1988. V. A. Gavanin, I. P. Voropaev.