tranzistori MOSFET în ultimii ani, mai mult și mai mult câștigă popularitate. Ele pot servi ca un bun înlocuitor pentru relee și tranzistoare bipolare.
Pentru a economisi bani și nu a alerga la magazin, încă o dată, tranzistori MOSFET poate vypayat de placa de baza rupte sau un modul de control.
Dar cum să verifice eficiența acestor radiokomponetov?
Pentru a face acest lucru, avem nevoie doar de un singur dispozitiv - tester.
Fiecare radioamator (chiar și un începător) trebuie să fie!
În marea majoritate a testeri este modul de „continuitate“, combinată cu o cădere de tensiune de testare diodă.
Aici, în acest mod traducem tester.
Acum, uita-te la diagrama de tranzistor MOSFET N-canal.
Circuitul are o diodă sursă de scurgere. Prin modul în care prezența sa se datorează tehnologiei de producție.
Testerul poate confirma prezența acestei diode.
0.5V - o cădere de tensiune pe dioda Schottky internă. Dacă schimbați sondele în unele locuri, trebuie să existe „deschise“.
Și acum puteți verifica afară și de blocare.
Testerul ar trebui să arate „deschide“, atunci când verificarea poarta-sursa si poarta-scurgere, polaritatea sondelor este irelevantă.
Dar, interesant, în cazul în care cablul negru ( „-“) pentru a continua sursă și sonda de culoare roșie ( „+“) atinge poarta, se deschide tranzistorul. Ce putem vedea, verifica din nou drena-sursa.
Tester va fi aproape de zero rezistență.
Acum plasați sonda „+“ de pe stoc, iar cablul negru la poarta si verifica scurgere-sursă. Testerul va afișa din nou sau căderea de tensiune pe dioda sau „deschis“, adică tranzistorul este închis!
Apropo, există o altă subtilitate - dacă vom deschide tranzistorul, și se măsoară rezistența drena-sursa, dar nu imediat, dar după un timp, testerul va afișa o rezistență alta decât zero. Și cu cât timpul trece, cu atât mai mult va exista o rezistență.
De ce se întâmplă acest lucru? Și totul este foarte simplu - capacitatea între poarta și de scurgere este suficient de mare (de obicei, unitatea de nF), iar când am deschis tranzistor MOSFET, acest condensator este încărcat. Și, din moment ce FET este controlată de un câmp, mai degrabă decât de curent, până când condensatorul este descărcat, tranzistorul se va deschide.
P-MOSFET canal tranzistor poate fi verificat prin același principiu, numai polaritatea celuilalt declanșator.